功率循环试验（pc）

igbt模块

δtj=100℃ 电压电流大1800a 12v

iec 客户自定义

高温反偏试验（htrb）

mosfet、igbt、diode、bjt、scr，第三代半导体器件等单管器件

温度高150℃； 电压高2000v

美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等

高温门极试验（htgb）

mosfet、sic mos等单管器件

温度高150℃； 电压高2000v

美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等

高温工作寿命试验（htol）

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等单管器件

温度高150℃ 电压高2000v

美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等

低温工作寿命试验（ltol）

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等单管器件

温度低-80℃ 电压高2000v

美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等

高温储存试验（htsl）

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度高150℃；

美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等

低温储存试验（ltsl）

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度低-80℃

美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等

高温高湿试验（thb）

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度高180℃ 湿度范围：10%~98%

美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等

高低温循环试验（tc）

mosfet、igbt、idiode、bjt、scr、ic、igbt模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度范围：-80℃~220℃

美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等

间歇寿命试验（iol）功率循环试验（pc）

mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等单管器件

δtj≧100℃ 电压电流大48v，10a

美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等

稳态功率试验（ssol）

mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等单管器件

δtj≧100℃ 电压电流大48v，10a

美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等

高加速应力试验（hast）

mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度130℃/110℃ 湿度85%

美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等

*无偏压的高加速应力试验（uhast）

mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度130℃ 湿度85%

美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等

高温蒸煮试验（pct）

mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度121℃ 湿度

美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等

预处理试验（pre-con）

所有smd类型器件

设备满足各个等级的试验要求

美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等

潮气敏感度等级试验（msl）

所有smd类型器件

设备满足各个等级的试验要求

美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等

*可焊性试验（solderability）

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等单管器件

有铅、无铅均可进行

美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等