标注的id电流是mos芯片的大常态电流，实际使用时的大常态电流还要受封装的大电流限制。因此客户设计产品时的大使用电流设定要考虑封装的大电流限制。建议客户设计产品时的大使用电流设定更重要的是要考虑mos的内阻参数。
2. 建议在mos的栅源（g/s）极之间并一个电阻（10k）和一个稳压二极管(5v-12v)起到保护栅源（g/s）极过压的作用。
3.建议mos管的开启电压尽量提高，这样mos管才能充分开启导通，这个时候内阻小，不容易发烫。一般建议低压mos的vgs开启电压设定为4.5v以上，中高压mos的开启电压设定为10v以上.
4.mos 电路操作注意事项：
静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止mos 电路由于受静电放电影响而引起的损坏：
? 操作人员要通过防静电腕带接地。
? 设备外壳必须接地。
? 装配过程中使用的工具必须接地。
? 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输

产品应用：    
1.led电源     
2.电源（开关电源、ups电源、通信电等） 
3.充电器     
4.适配器     
5.电源板     
6.小家电、家电电源板   
7.电动车控制板    
8.电动工具     
9.电脑主板、显卡