检测项目 | 覆盖产品 | 检测能力 | 参考标准 |
直流参数 | mosfet、igbt、diode等模块产品; | 检测大电压:7500v 检测大电流:6000a | 国标,iec |
雪崩能量 | mosfet、igbt、diode,第三代半导体器件等单管器件 | 检测大电压:2500v 检测大电流:200a | 美军标 |
栅极电阻 | mosfet、igbt及第三代半导体器件 | 检测阻抗:0.1ω~50ω | jedec |
开关时间 | mosfet、igbt、diode及第三代半导体单管器件; | 检测大电压:1200v 检测大电流:200a | 美军标,国标,iec等 |
开关时间 | igbt等模块产品 | 检测大电压:2700v 检测大电流:4000a | 国标,iec |
反向恢复 | mosfet、igbt、diode及第三代半导体器件等单管器件 | 检测大电压:1200v 检测大电流:200a | 美军标,国标,iec等 |
反向恢复 | igbt等模块产品 | 检测大电压:2700v 检测大电流:4000a | 国标,iec |
栅极电荷 | mosfet、igbt、diode及第三代半导体器件等单管器件 | 检测大电压:1200v 检测大电流:200a | 美军标,国标,iec等 |
栅极电荷 | igbt等模块产品 | 检测大电压:2700v 检测大电流:4000a | 国标,iec |
短路耐量能力 | mosfet、igbt、diode及第三代半导体器件等单管器件 | 检测大电压:1200v 检测大电流:1000a | 美军标,国标,iec等 |
短路耐量能力 | igbt等模块产品 | 检测大电压:2700v 检测大电流:10000a | 国标,iec |
结电容 | mosfet、igbt及第三代半导体器件等单管器件 | 检测大电压:3000v | iec |
参数曲线扫描 | mosfet、igbt、diode、bjt、scr,第三代半导体器件等单管器件的i-v、c-v曲线 | 检测大电压:3000v 检测大电流:1500a 温度:-70°c~180°c | 美军标,iec等 |
热阻性能 | mosfet、igbt、diode、bjt、scr,第三代半导体器件等单管产品 | 大功率:250w | 美军标,jedec |
热阻性能 | igbt等模块产品 | 大功率:4000w | 美军标,jedec |
esd能力 | mosfet、igbt、ic等产品 | hbm大电压:8000v;mm大电压:800v | 美军标,ansi,jedec等 |
*正向浪涌能力 | diode(si/sic)、整流桥 | 检测大电流:800a | 美军标,国标 |
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